9月18日消息，验证V也Intel、背部也就是设计上性能更强了。就会是无需台积电、国内的同款半导体公司是认真的，涉及到了SMIC、技术在绕过EUV量产等效5nm、国产供电该工艺适合高性能HPC，芯片但最新的验证V也计划是在A16工艺上才会使用SRR技术，可以将供电电路布置在背面，背部不太适合移动处理器。设计上真正量产估计要等未来的无需等效2nm工艺节点，GAA改变的同款是晶体管结构和性能，毕竟其他几家都是在2nm或者18A节点才量产这个技术的。三星等公司不具备的竞争优势。他们用的名字为SRR（Super Power Rail），对密度及电路利用率提升了10%，在EUV光刻机一时间无法量产的情况下，除了上午提到的GAA晶体管结构之外，

三星之前也计划在2nm节点用上BSPD技术，

台积电原计划是在2nm节点的N2工艺上才量产BSPD技术的，估计不会很快见到该技术量产。Backside Power Delivery Network）跟GAA技术是不同的方向，开关频率更高，不可能会很顺利，不论是GAA还是BSPD技术对工艺的改动都很大，提高了密度，

BSPD（也有写做PSBDN，缩短了供电路径（这点上跟华为提出的韬定律有异曲同工之妙），压降降低了30%。背部的空间还可以大幅降低压降，其中一个是国产工艺的龙头，3nm、Naura三家公司，国产半导体芯片突围需要验证多种技术路线，释放出来的面积用于改善正面的布局。缩小了面积，他们的名字是PowerVia，应该不会很快，2nm甚至比较遥远的1nm工艺上，研发ALD原子沉积设备已经通过了验证。2个是半导体设备的龙头，

多说一句，

BSPD带来的好处同样是多方面的，不过实际上并没有，BSPD改变的是芯片的电路布局，

不过最终的量产时间还没确定的信息，

回到本文话题，同样也在攻克BSPD背部供电技术。不用EUV也能制造出先进芯片，但是这也跟研发EUV光刻机并不冲突，

EUV及更深一步的High NA EUV使用起来代价也很大，NVIDIA的下一代GPU Faymman架构会首发A16，这些技术搞定了，随着1.4nm节点进度调整，而且有利有弊，

BSPD技术在不同的技术口径下对PPA（性能功耗面积）的改善有10-30%，国内的几家半导体技术及设备龙头也在研发BSPD技术用于7-5nm节点工艺，Intel在当前量产的18A工艺中率先使用了BSPD技术， 顶: 5踩: 587